Diodă Redresoare Schottky SiC 1,2kV 20A 112W TO247-3

Dioda redresoare Schottky SiC THT 1,2kV 20Ax2 112W TO247-3, fabricată de BASiC SEMICONDUCTOR, este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații industriale și comerciale. Acesta este disponibil într-un subtip de ambalaj tub și se montează cu tehnologia THT. Carcasa TO247-3 oferă o protecție excelentă împotriva factorilor externi și asigură o conductivitate termică optimă.

Dioda redresoare Schottky oferă o putere disipată de 112W, având un curent de scurgere de doar 30µA. Cu o tensiune inversă maximă de 1,2kV, acest component poate gestiona un curent de sarcină de 20A x2 și un curent de sarcină maxim de 40A. Cu un curent de șoc direct maxim de 180A și o tensiune de conducție maximă de 1,92V, această diodă redresoare Schottky SiC este proiectată pentru a oferi performanțe excelente în diverse aplicații.

Structura semiconductorului este de tip catod comun, iar tehnologia avansată SiC asigură o funcționare stabilă și eficientă a dispozitivului. Datorită structurii semiconductorului duble, această diodă redresoare Schottky SiC este durabilă și rezistentă la condiții de mediu dificile. Cu BASiC SEMICONDUCTOR, puteți avea încredere în calitatea și fiabilitatea acestui produs de înaltă calitate.