• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Diodă: redresoare; THT; 200V; 3A; rolă 10 inch; Ifsm: 100A; SOD64
  • Diodă: redresoare; THT; 200V; 3A; rolă 10 inch; Ifsm: 100A; SOD64
  • Diodă: redresoare; THT; 200V; 3A; rolă 10 inch; Ifsm: 100A; SOD64

Diodă Redresoare VISHAY 1N5624-TR 200V 3A THT SOD64 10 inch

1N5624-TR
VISHAY
Diodă: redresoare; THT; 200V; 3A; rolă 10 inch; Ifsm: 100A; SOD64
7,56 lei
6,25 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Diodă Redresoare VISHAY 1N5624-TR 200V 3A THT SOD64 10 inch


  • Producător: VISHAY

  • Subtip ambalaj: rolă 10 inch

  • Montare: THT (Through-Hole Technology)

  • Tip diodă: redresoare

  • Carcasă: SOD64

  • Cantitate în set/ambalaj: 2500 bucăți

  • Curent de scurgere: 10µA

  • Caracteristici elemente semiconductoare: fenomenul de străpungere în avalanșă, glass passivated

  • Tensiune inversă maximă: 200V

  • Curent de sarcină: 3A

  • Curent de sarcină maxim: 18A

  • Curent de șoc direct maxim: 100A

  • Capacitanță: 60pF

  • Tensiune conducție maximă: 1V

  • Structura semiconductorului: o singură diodă

  • Timp de restabilire: 7,5µs


Dioda redresoare VISHAY 1N5624-TR este proiectată pentru aplicații ce necesită o tensiune inversă de până la 200V și un curent de sarcină continuu de 3A, cu capacitatea de a suporta curenți de șoc de până la 100A. Carcasa compactă SOD64 și montarea THT facilitează integrarea în diverse circuite electronice. Tehnologia glass passivated asigură o protecție sporită și o durabilitate crescută, iar timpul de restabilire rapid de 7,5µs optimizează performanța în aplicații de comutare. Ideală pentru utilizare în circuite de redresare și protecție, această diodă oferă fiabilitate și eficiență în condiții variate de operare.

Detalii
1N5624-TR

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
rolă 10 inch
Montare
THT
Tip diodă
redresoare
Carcasă
SOD64
Cantitate în set/ambalaj
2500buc.
Curent de scurgere
10µA
Caracteristici elemente semiconductoare
fenomenul de străpungere în avalanşă
glass passivated
Tensiune inversă max.
200V
Curent de sarcină
3A
Curent de sarcină max.
18A
Curent de şoc direct max.
100A
Capacitanţă
60pF
Tensiune conducţie max.
1V
Structura semiconductorului
o singură diodă
Timp de restabilire
7,5µs

Coduri specifice

cod EAN13
5949423757335
Cod MPN
1N5624-TR
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: