Driver Semipunte IGBT/MOSFET SO16-W 5-2.5A

IC: driver semipunte IGBT, semipunte MOSFET SO16-W -5÷2,5A este un produs de înaltă calitate fabricat de TEXAS INSTRUMENTS. Acest driver de semipunte oferă o serie de caracteristici importante care îl fac ideal pentru diverse aplicații. Cu o temperatură de lucru cuprinsă între -40 și 125°C, acest driver poate funcționa în condiții extreme. Montarea SMD facilitează integrarea sa în diverse dispozitive electronice. Carcasa SO16-W asigură o protecție fiabilă împotriva daunelor.

Driverul IC are o tensiune de alimentare cuprinsă între 15 și 30V DC și oferă protecție la subtensiune (UVP). Cu două canale și un tip de circuit integrat driver, acest dispozitiv oferă o tensiune de izolație de 5,7kV și o tensiune de intrare între 2,25 și 5,5V. Curentul de ieșire variază între -5 și 2,5A, fiind potrivit pentru diverse aplicații.

Cu o topologie de semipunte MOSFET și semipunte IGBT, acest driver oferă o separare galvanică și un timp de creștere a impulsului de 35ns, precum și un timp de cădere a impulsului de 37ns. Cu caracteristici avansate și o construcție solidă, IC: driver semipunte IGBT, semipunte MOSFET SO16-W -5÷2,5A este alegerea perfectă pentru proiectele electronice exigente.