Driverul semipunte IGBT,semipunte MOSFET SO8 -2,2÷1,4A Ch: 2 de la ONSEMI este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice complexe. Cu temperaturi de lucru cuprinse între -40 și 125°C, acest driver este extrem de fiabil în orice mediu. Montarea sa de tip SMD îl face ușor de integrat în diverse dispozitive, iar carcasa SO8 oferă protecție suplimentară.
Cu o tensiune de alimentare cuprinsă între 10 și 20V DC, acest driver oferă o protecție excelentă împotriva subtensiunii UVP. Cu două canale disponibile, acest dispozitiv este perfect pentru aplicații complexe ce necesită control separat al mai multor componente.
Driverul semipunte IGBT,semipunte MOSFET SO8 -2,2÷1,4A Ch: 2 de la ONSEMI este proiectat cu o clasă de tensiune de 600V, fiind potrivit pentru o gamă largă de aplicații. Cu topologii de semipunte MOSFET și semipunte IGBT, acest driver oferă performanțe excelente în controlul porților.
Cu un timp de creștere a impulsului de 60ns și un timp de cădere impuls de 40ns, acest driver asigură o comutare rapidă și precisă a componentelor electronice. Fiind un controler de porți high-/low-side, acest dispozitiv este alegerea perfectă pentru proiectele electronice complexe care necesită performanțe superioare.