• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Driver Semipunte IGBT/MOSFET SO8 2,2-1,4A 2 Canale | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Driver Semipunte IGBT/MOSFET SO8 2,2-1,4A 2 Canale | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Driver Semipunte IGBT/MOSFET SO8 2,2-1,4A 2 Canale

NCP5181DR2G
ONSEMI
IC: driver; semipunte IGBT,semipunte MOSFET; SO8; -2,2÷1,4A; Ch: 2
14,24 lei
11,77 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Driverul semipunte IGBT,semipunte MOSFET SO8 -2,2÷1,4A Ch: 2 de la ONSEMI este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice complexe. Cu temperaturi de lucru cuprinse între -40 și 125°C, acest driver este extrem de fiabil în orice mediu. Montarea sa de tip SMD îl face ușor de integrat în diverse dispozitive, iar carcasa SO8 oferă protecție suplimentară.

Cu o tensiune de alimentare cuprinsă între 10 și 20V DC, acest driver oferă o protecție excelentă împotriva subtensiunii UVP. Cu două canale disponibile, acest dispozitiv este perfect pentru aplicații complexe ce necesită control separat al mai multor componente.

Driverul semipunte IGBT,semipunte MOSFET SO8 -2,2÷1,4A Ch: 2 de la ONSEMI este proiectat cu o clasă de tensiune de 600V, fiind potrivit pentru o gamă largă de aplicații. Cu topologii de semipunte MOSFET și semipunte IGBT, acest driver oferă performanțe excelente în controlul porților.

Cu un timp de creștere a impulsului de 60ns și un timp de cădere impuls de 40ns, acest driver asigură o comutare rapidă și precisă a componentelor electronice. Fiind un controler de porți high-/low-side, acest dispozitiv este alegerea perfectă pentru proiectele electronice complexe care necesită performanțe superioare.
Detalii
ONSEMI
NCP5181DR2G

Fisa tehnica

Producător
ONSEMI
Temperatura de lucru
-40...125°C
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Tensiune alimentare
10...20V DC
Topologie
semipunte IGBT
semipunte MOSFET
Protecţie
la subtensiune UVP
Montare
SMD
Carcasă
SO8
Număr canale
2
Tip circuit integrat
driver
Curent ieşire
-2,2...1,4A
Clasa de tensiune
600V
Subtip circuit integrat
controler porţi
high-/low-side
Timpul de creştere a impulsului
60ns
Timp cădere impuls
40ns

Coduri specifice

cod EAN13
5940844198080
Cod MPN
NCP5181DR2G
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: