IC: driver punte H, semipunte MOSFET SO8 -1,8÷2,8A Ch: 2, fabricat de TEXAS INSTRUMENTS, este un circuit integrat de înaltă performanță, proiectat pentru utilizare în domeniul auto. Acesta are o temperatură de lucru extinsă de la -40°C până la 140°C, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații în medii dificile.
Cu o montare de tip SMD și un subtip de ambalaj tub, acest IC este ușor de integrat într-o varietate de aplicații. Carcasa SO8 oferă protecție și durabilitate, asigurând o funcționare fiabilă în condiții extreme.
Cu o tensiune de alimentare cuprinsă între 10V și 20V DC, acest circuit integrat are două canale independente, ceea ce îl face ideal pentru sisteme care necesită control precis al curentului. Cu un curent de ieșire între -1,8A și 2,8A, acest driver punte H este capabil să gestioneze sarcini semnificative.
Topologia semipunte MOSFET și punte H oferă o performanță excelentă și o eficiență sporită. Subtipul de circuit integrat, controler porți, asigură o funcționare precisă și fiabilă, în timp ce timpul de creștere a impulsului de 50ns și timpul de cădere de 30ns garantează o comutare rapidă și precisă a semnalului.
IC: driver punte H, semipunte MOSFET SO8 -1,8÷2,8A Ch: 2 de la TEXAS INSTRUMENTS este soluția perfectă pentru aplicațiile auto care necesită un control de înaltă performanță și fiabilitate.