Descoperiți soluția ideală pentru controlul eficient al puterii cu driverul semipunte MOSFET SO8 de la Texas Instruments. Acest circuit integrat de înaltă performanță, destinat montării SMD, oferă o gamă largă de funcționalități care îl fac perfect pentru aplicații variate. Cu o carcasă compactă SO8 și o temperatură de operare cuprinsă între -40°C și 125°C, acest driver asigură o fiabilitate excelentă în condiții extreme.
Proiectat cu două canale, driverul suportă o tensiune de alimentare de 9-14V DC și oferă o tensiune de ieșire între 120 și 450mV, având un curent de ieșire variabil între -3 și 3A. Subtipurile de circuit integrat includ high-/low-side și controler porți MOSFET, oferind o versatilitate sporită.
Printre caracteristicile avansate se numără funcționalitatea bootstrap integrată și protecția UVLO (UnderVoltage LockOut), care garantează funcționarea optimă a sistemului. Timpul de creștere a impulsului este de 430ns, iar timpul de cădere a impulsului este de 260ns, asigurând un răspuns rapid și eficient. Alegeți driverul semipunte MOSFET SO8 pentru o soluție de control al puterii sigură și performantă!