Fotodioda IR PIN de la ams OSRAM este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită detectarea precisă a radiației infraroșii. Cu o lungime de undă cuprinsă între 350 și 1100 nm și un unghi de 40°, această fotodiodă oferă o sensibilitate maximă la 850 nm. Cu o tensiune inversă maximă de 50V și un curent de întuneric de doar 1nA, această fotodiodă este extrem de eficientă din punct de vedere energetic. Timpul de activare și dezactivare de 12 ns asigură o performanță rapidă și precisă, iar lentila diodei transparentă și suprafața fotosensibilă de 1 mm² fac din această fotodiodă o alegere ideală pentru aplicațiile cu cerințe ridicate. Cu o putere optică de 250mW și montare THT în carcasa TO18, această fotodiodă oferă o performanță remarcabilă și fiabilitate pe termen lung.
Detalii
BPX65
Fisa tehnica
Producător
ams OSRAM
Montare
THT
Lentilă diodă
transparent
Carcasă
TO18
Lungime undă λd
350...1100nm
Unghiul
40°
Tensiune inversă max.
50V
Timp activare
12ns
Timp dezactivare
12ns
Lungimea undei în punctul de sensibilitate maximă
850nm
Curent de întuneric
1nA
Tip fotoelement
fotodiodă IR PIN
Putere optică
250mW
Suprafaţă fotosensibilă
1mmsup2/sup
Coduri specifice
cod UPC
594330833433
cod EAN13
5949472070737
Cod MPN
BPX 65
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.