Memorie SRAM 4Mb 512kx8bit 10ns TSOP44 II ISSI

Memorie SRAM 4Mb 512kx8bit 10ns TSOP44 II ISSI

Descoperiți performanța excepțională a memoriei SRAM de 4MB de la ISSI, un component esențial pentru aplicațiile dumneavoastră de înaltă viteză. Cu o organizare a memoriei de 512kx8bit și un timp de acces rapid de doar 10ns, acest circuit integrat oferă soluții eficiente pentru stocarea temporară a datelor în proiecte critice. Proiectat pentru montare SMD, acest model se integrează ușor în cele mai diverse configurații, asigurând un consum optim de spațiu pe placa de circuit.

Funcționând la o tensiune de lucru între 2,4V și 3,6V, Memoria SRAM ISSI este ideală pentru o gamă largă de aplicații, de la echipamente de telecomunicații la dispozitive industriale. Cu o carcasă TSOP44 II, acesta oferă o protecție excelentă împotriva factorilor externi, garantând stabilitate și fiabilitate în condiții de temperatură cuprinse între -40°C și 85°C. Optați pentru această memorie SRAM de înaltă calitate de la ISSI și îmbunătățiți performanța proiectelor dumneavoastră cu o soluție de stocare rapidă și eficientă!