• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Modul Tranzistor 850V 65A SOT227B IXFN66N85X | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 850V 65A SOT227B IXFN66N85X | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul Tranzistor 850V 65A SOT227B IXFN66N85X | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul Tranzistor 850V 65A SOT227B IXFN66N85X

IXFN66N85X
IXYS
Modul; mono-tranzistor; 850V; 65A; SOT227B; înşurubare; Idm: 140A
362,75 lei
299,79 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Modulul mono-tranzistor 850V 65A SOT227B înşurubare este un produs de înaltă calitate fabricat de către IXYS. Acest modul cu tranzistor MOSFET X-Class oferă o putere disipată de 830W, ceea ce îl face ideal pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a energiei. Cu o structură semiconductorului mono-tranzistor și o rezistență în timpul funcționării de 65mΩ, acest modul asigură performanțe fiabile și durabile.

Cu un curent de drenă în impuls de 140A și un curent de drenă de 65A, acest modul poate gestiona sarcini de putere mari fără probleme. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și sigură, în timp ce tensiunea drenă-sursă de 850V și tensiunea poartă-sursă de ±40V permit o gamă largă de aplicații.

Montarea mecanică și electrică înșurubare facilitează instalarea și întreținerea acestui modul, iar subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 230nC contribuie la performanțele excelente ale acestui produs. Cu un timp de restabilire rapid de 250ns, acest modul este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o comutare rapidă și eficientă a energiei.

În concluzie, modulul mono-tranzistor 850V 65A SOT227B înșurubare de la IXYS reprezintă o soluție de înaltă performanță pentru aplicațiile electronice care necesită o gestionare eficientă a energiei și o funcționare fiabilă pe termen lung.
Detalii
IXFN66N85X

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Putere disipată
830W
Tip modul
cu tranzistor MOSFET
Carcasă
SOT227B
Montare electrică
înşurubare
Montare mecanică
înşurubare
Structura semiconductorului
mono-tranzistor
Curent de drenă în impuls
140A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
65A
Tensiune drenă-sursă
850V
Tensiune poartă-sursă
±40V
Rezistenţă în timpul funcţionării
65mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
230nC
Timp de restabilire
250ns
Tehnologie
HiPerFET™
X-Class

Coduri specifice

cod UPC
594275649328
cod EAN13
5942117904206
Cod MPN
IXFN66N85X
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: