• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Modul IGBT mono-tranzistor 1,2kV 56A 290W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Modul IGBT mono-tranzistor 1,2kV 56A 290W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Modul IGBT mono-tranzistor 1,2kV 56A 290W

IXA60IF1200NA
IXYS
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 56A; SOT227B; 290W
320,48 lei
264,86 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Modul IGBT mono-tranzistor 1,2kV 56A 290W de la IXYS reprezintă alegerea ideală pentru aplicații industriale și comerciale care necesită performanțe ridicate și fiabilitate înaltă. Cu o tensiune inversă maximă de 1,2kV și un curent de colector de 56A, acest modul este conceput să reziste în cele mai exigente condiții de funcționare. Structura sa mono-tranzistor și tehnologia avansată XPT™ asigură o eficiență energetică optimă și o disipare a puterii de 290W, ceea ce îl face perfect pentru aplicații de putere mare.

Carcasa SOT227B facilitează o montare electrică și mecanică simplă, prin înșurubare, ceea ce reduce timpul de instalare și costurile asociate. Cu o capacitate de curent de colector pulsat de 150A, acest modul este ideal pentru aplicații care necesită impulsuri de curent puternice. Tensiunea poartă-emitor de ±20V oferă o flexibilitate sporită în integrarea în circuite, iar caracteristicile de tensiune înaltă ale elementelor semiconductoare asigură o stabilitate și o performanță excepțională pe termen lung.

Alegerea Modulului IGBT mono-tranzistor de la IXYS este o investiție în calitate și durabilitate, având în vedere cerințele tot mai mari ale tehnologiei moderne. Nu lăsați ocazia să beneficiați de avantajele unei soluții de top în domeniul electronicii de putere!
Detalii
IXA60IF1200NA

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Putere disipată
290W
Tip modul
IGBT
Carcasă
SOT227B
Montare electrică
înşurubare
Montare mecanică
înşurubare
Caracteristici elemente semiconductoare
de tensiune înaltă
Tensiune inversă max.
1,2kV
Structura semiconductorului
mono-tranzistor
Curent de colector pulsat
150A
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector
56A
Tehnologie
XPT™

Coduri specifice

cod EAN13
5941749979422
Cod MPN
IXA60IF1200NA
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: