Modul IGBT boost chopper 1200V 15A de la STARPOWER SEMICONDUCTOR reprezintă soluția ideală pentru aplicații industriale și comerciale care necesită o performanță de vârf în managementul energiei. Construit pe baza tehnologiei avansate Advanced Trench FS IGBT, acest modul se evidențiază prin eficiența sa ridicată și capacitatea de a gestiona curenți pulsati de până la 30A, cu un curent de colector constant de 15A.
Proiectat cu o carcasă L2.2, acest modul facilitează o integrare ușoară în sistemele existente, având un montaj electric de tip press-in PCB și un montaj mecanic prin înșurubare, asigurând astfel o stabilitate excelentă. Cu o tensiune inversă maximă de 1,2kV, acesta este capabil să suporte condiții exigente, iar structura sa semiconductorului, combinând dioda și tranzistorul, optimizează performanța generală.
Topologia boost chopper, împreună cu configurațiile de punte trifazată IGBT și punte de diodă trifazată, face ca acest modul să fie versatil și eficient în diverse aplicații de conversie a energiei. Tensiunea poartă-emitor de ±20V asigură un control precis asupra funcționării modulului, iar termistorul NTC integrat contribuie la gestionarea termică optimă.
Investiția în Modulul IGBT boost chopper 1200V 15A de la STARPOWER SEMICONDUCTOR reprezintă o alegere inteligentă pentru cei care caută fiabilitate, performanță și tehnologie de ultimă generație în aplicațiile lor electrice.