• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Modul IGBT boost chopper 1200V 15A

GD15PJY120L2S
Modul: IGBT; diodă/tranzistor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A
277,94 lei
229,70 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Modul IGBT boost chopper 1200V 15A de la STARPOWER SEMICONDUCTOR reprezintă soluția ideală pentru aplicații industriale și comerciale care necesită o performanță de vârf în managementul energiei. Construit pe baza tehnologiei avansate Advanced Trench FS IGBT, acest modul se evidențiază prin eficiența sa ridicată și capacitatea de a gestiona curenți pulsati de până la 30A, cu un curent de colector constant de 15A.

Proiectat cu o carcasă L2.2, acest modul facilitează o integrare ușoară în sistemele existente, având un montaj electric de tip press-in PCB și un montaj mecanic prin înșurubare, asigurând astfel o stabilitate excelentă. Cu o tensiune inversă maximă de 1,2kV, acesta este capabil să suporte condiții exigente, iar structura sa semiconductorului, combinând dioda și tranzistorul, optimizează performanța generală.

Topologia boost chopper, împreună cu configurațiile de punte trifazată IGBT și punte de diodă trifazată, face ca acest modul să fie versatil și eficient în diverse aplicații de conversie a energiei. Tensiunea poartă-emitor de ±20V asigură un control precis asupra funcționării modulului, iar termistorul NTC integrat contribuie la gestionarea termică optimă.

Investiția în Modulul IGBT boost chopper 1200V 15A de la STARPOWER SEMICONDUCTOR reprezintă o alegere inteligentă pentru cei care caută fiabilitate, performanță și tehnologie de ultimă generație în aplicațiile lor electrice.
Detalii
GD15PJY120L2S

Fisa tehnica

Producător
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tip modul
IGBT
Topologie
Punte de diodă trifazată
Termistor NTC
boost chopper
punte trifazată IGBT ieşire OE
Carcasă
L2.2
Montare electrică
Press-in PCB
Montare mecanică
înşurubare
Tensiune inversă max.
1,2kV
Structura semiconductorului
diodă/tranzistor
Curent de colector pulsat
30A
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector
15A
Tehnologie
Advanced Trench FS IGBT

Coduri specifice

cod EAN13
5943897905629
Cod MPN
GD15PJY120L2S
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: