• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Modul IGBT VISHAY mono-tranzistor 1,2kV 100A SOT227B

VS-GT100DA120UF
VISHAY
Modul: IGBT; mono-tranzistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; SOT227B
445,05 lei
367,81 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Modulul IGBT VISHAY mono-tranzistor 1,2kV 100A SOT227B este construit pe tehnologia avansată Trench, asigurând performanțe superioare și eficiență ridicată în aplicații de putere. Carcasa robustă SOT227B permite montarea mecanică și electrică prin înşurubare, garantând o fixare solidă și o disipare termică optimă. Structura semiconductorului mono-tranzistor integrată cu diodă anti-paralelă oferă o comutație rapidă și fiabilitate crescută. Dispune de o tensiune maximă inversă de 1,2 kV și un curent de colector nominal de 100A, cu un curent de colector pulsat de până la 240A, răspunzând astfel cerințelor ridicate de sarcină. Tensiunea poartă-emitor suportată este ±20V, asigurând un control precis al comutării. Producătorul VISHAY, recunoscut pentru calitatea componentelor electronice, garantează un modul IGBT durabil și performant, optim pentru utilizatori ce solicită condiții de funcționare exigente și stabilitate în timp.
Detalii
VS-GT100DA120UF

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Tip modul
IGBT
Carcasă
SOT227B
Montare electrică
înşurubare
Montare mecanică
înşurubare
Caracteristici elemente semiconductoare
integrated anti-parallel diode
Tensiune inversă max.
1,2kV
Structura semiconductorului
mono-tranzistor
Curent de colector pulsat
240A
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector
100A
Tehnologie
Trench

Coduri specifice

cod EAN13
5949541779875
Cod MPN
VS-GT100DA120UF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.