Modul IGBT Diodă Tranzistor 1200V 35A

Modulul IGBT diodă/tranzistor boost chopper de la STARPOWER SEMICONDUCTOR este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră de electronică de putere. Acest modul impresionant este proiectat cu cea mai recentă tehnologie și oferă performanțe remarcabile.

Producătorul acestui modul este STARPOWER SEMICONDUCTOR, garantând calitatea și fiabilitatea produsului. Carcasa L3.0 și montarea electrică tip Press-in PCB asigură o integrare ușoară în proiectele dvs. Montarea mecanică prin înșurubare face instalarea simplă și rapidă.

Cu un tip de modul IGBT și o topologie avansată de boost chopper, acest modul oferă o eficiență ridicată și performanțe excelente. Tensiunea inversă maximă de 1,2kV și structura semiconductorului diodă/tranzistor asigură o funcționare sigură și fiabilă.

Cu un curent de colector de 35A și un curent de colector pulsat de 70A, acest modul este potrivit pentru aplicații de putere medie și mare. Tehnologia Advanced Trench FS IGBT îmbunătățește performanțele și durabilitatea acestui modul.

În concluzie, Modulul IGBT diodă/tranzistor boost chopper de la STARPOWER SEMICONDUCTOR este o alegere excelentă pentru proiectele dumneavoastră de electronică de putere, oferind performanțe de top și fiabilitate pe termen lung.