Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
N-MOSFET SiC 1.2kV 24A 150W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1.2kV 24A 150W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1.2kV 24A 150W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC 1.2kV 24A 150W Tranzistor

B2M065120R
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
93,41 lei
77,20 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de 1,2kV 24A Idm: 85A 150W de la BASiC SEMICONDUCTOR este un produs inovator care se remarcă prin performanțe deosebite și fiabilitate excepțională. Acest tranzistor vine într-un ambalaj tub și este montat în tehnologia SMD, având o carcasă TO263-7. Cu o putere disipată de 150W, tranzistorul dispune de caracteristici elemente semiconductoare de înaltă calitate, inclusiv terminal Kelvin.

Cu un curent de drenă în impuls de 85A și un curent drenă de 24A, acest tranzistor oferă o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 1,2kV. Tensiunea poartă-sursă variază între -4 și 18V, iar rezistența în timpul funcționării este de doar 65mΩ. Subtipul canal este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 60nC.

Acest tranzistor N-MOSFET SiC este un produs de înaltă calitate, potrivit pentru o gamă variată de aplicații electronice. Fiabilitatea și performanțele sale de top îl fac alegerea ideală pentru proiectele care necesită un tranzistor puternic și eficient din punct de vedere energetic.
Detalii
B2M065120R

Fisa tehnica

Producător
BASiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
150W
Montare
SMD
Carcasă
TO263-7
Caracteristici elemente semiconductoare
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls
85A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
24A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Tensiune poartă-sursă
-4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării
65mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
60nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod UPC
594792982014
cod EAN13
5949746736055
Cod MPN
B2M065120R
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 9A 63W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMO11N60C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 9A 63W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
4,09 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 9A 63W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 620V 2,7A 45W DPAK ESD - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Compone

Cod: STD3N62K3

Marca: STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 620V 2,7A 45W DPAK ESD - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2,7A; 45W; DPAK; ESD
5,53 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 620V 2,7A 45W DPAK ESD - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc