Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 8A 75W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 8A 75W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 8A 75W

G3R350MT12J
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 8A; Idm: 16A; 75W
39,35 lei
32,52 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 8A Idm: 16A 75W de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, cu o serie de caracteristici remarcabile. Acesta este ambalat într-un tub de tip SMD, cu montare în carcasă TO263-7. Puterea disipată este de 75W, iar elementele semiconductoare beneficiază de terminal Kelvin pentru performanțe superioare.

Cu un curent de drenă în impuls de 16A și o polarizare unipolară, acest tranzistor oferă un curent de drenă de 8A și o tensiune drenă-sursă de 1,2kV. Tensiunea poartă-sursă variază între -5 și 15V, iar rezistența în timpul funcționării este de 0,35Ω. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 12nC.

Acest tranzistor N-MOSFET beneficiază de tehnologia avansată SiC și tehnologia G3R™, care îl fac ideal pentru aplicații care necesită performanțe ridicate și fiabilitate. Cu GeneSiC SEMICONDUCTOR ca producător, puteți avea încredere în calitatea și durabilitatea acestui tranzistor de înaltă performanță.
Detalii
G3R350MT12J

Fisa tehnica

Producător
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
75W
Montare
SMD
Carcasă
TO263-7
Caracteristici elemente semiconductoare
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls
16A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
8A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Tensiune poartă-sursă
-5...15V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,35Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
12nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
G3R™
SiC

Coduri specifice

cod EAN13
5948812874677
Cod MPN
G3R350MT12J
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 250V 0,23A 1,1W SOT26 - Componentă Electronică pentru Circuite Integrate | Electronic-mag.ro | Comp

Cod: ZVN4525E6TA

Marca: DIODES INCORPORATED

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 250V 0,23A 1,1W SOT26 - Componentă Electronică pentru Circuite Integrate

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0,23A; 1,1W; SOT26
9,56 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 250V 0,23A 1,1W SOT26 - Componentă Electronică pentru Circuite Integrate
In stoc
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 30V 30A 42W PG-TO252-3 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Compone

Cod: IPD090N03LGATMA1

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 30V 30A 42W PG-TO252-3 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
7,34 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 30V 30A 42W PG-TO252-3 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc