Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
  • Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET 100V 180A 480W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 180A 480W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 180A 480W TO263

IXTA180N10T
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
53,69 lei
44,37 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 180A 480W TO263 72ns de la IXYS este un produs de înaltă performanță, ideal pentru aplicații electronice care necesită o disipare eficientă a puterii. Acest tranzistor vine într-un ambalaj tub TO263 și poate fi montat cu ușurință folosind tehnologia SMD. Cu o putere disipată impresionantă de 480W și o rezistență în timpul funcționării de doar 6,4mΩ, acest tranzistor oferă o funcționare fiabilă și eficientă.

Caracteristicile elementelor semiconductoare de tip thrench gate power mosfet asigură o performanță superioară, iar polarizarea unipolară face ca acest tranzistor să fie ușor de integrat în diverse circuite. Cu o tensiune drenă-sursă de 100V și un curent drenă de 180A, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 151nC garantează o comutare rapidă și eficientă. Acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru aplicații care necesită o performanță de vârf și un timp de restabilire rapid de doar 72ns. Cu o calitate superioară și o fiabilitate remarcabilă, tranzistorul IXYS este alegerea perfectă pentru proiectele tale electronice exigente.
Detalii
IXTA180N10T

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
480W
Montare
SMD
Carcasă
TO263
Caracteristici elemente semiconductoare
thrench gate power mosfet
Polarizare
unipolar
Curent drenă
180A
Tensiune drenă-sursă
100V
Rezistenţă în timpul funcţionării
6,4mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
151nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
72ns

Coduri specifice

cod UPC
594961753469
cod EAN13
5943552528446
Cod MPN
IXTA180N10T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 20A Idm 116A 68W PG-TO252-3 - Componentă Electronică de Putere | Electronic-mag.ro | Componente

Cod: IPD350N06LGBTMA1

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 20A Idm 116A 68W PG-TO252-3 - Componentă Electronică de Putere

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
12,29 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 20A Idm 116A 68W PG-TO252-3 - Componentă Electronică de Putere
In stoc
Tranzistor N-MOSFET unipolar 60V 0,15mA 0,33W SOT23 - Componente electronice de înaltă performanță | Electronic-mag.ro | Compone

Cod: BS170FTA

Marca: DIODES INCORPORATED

Tranzistor N-MOSFET unipolar 60V 0,15mA 0,33W SOT23 - Componente electronice de înaltă performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,15mA; 0,33W; SOT23
7,85 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET unipolar 60V 0,15mA 0,33W SOT23 - Componente electronice de înaltă performanță
In stoc