• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
N-MOSFET Tranzistor 150V 56A 310W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 150V 56A 310W D2PAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 150V 56A 310W D2PAK

FDB2532
ONSEMI
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK
32,91 lei
27,20 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul ONSEMI N-MOSFET unipolar 150V 56A 310W D2PAK este un produs de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Acest tranzistor este fabricat de ONSEMI, garantând calitatea și fiabilitatea produsului.

Cu o putere disipată de 310W, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Carcasa D2PAK și montarea SMD îl fac ușor de integrat în diverse dispozitive electronice. Polarizarea unipolară, curentul de drenaj de 56A și tensiunea de drenaj-sursă de 150V îl fac potrivit pentru aplicații de putere medie și mare.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 14mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente în ceea ce privește conducerea și disiparea energiei. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura de poartă de 82nC îl fac ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de comutare rapidă.

Acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia PowerTrench®, asigurând o performanță superioară și o eficiență sporită. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă flexibilitate în proiectarea circuitelor electronice. În concluzie, tranzistorul ONSEMI N-MOSFET unipolar 150V 56A 310W D2PAK este alegerea perfectă pentru aplicațiile care necesită o combinație între putere, eficiență și fiabilitate.
Detalii
ONSEMI
FDB2532

Fisa tehnica

Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
310W
Montare
SMD
Carcasă
D2PAK
Polarizare
unipolar
Curent drenă
56A
Tensiune drenă-sursă
150V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
14mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
82nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
PowerTrench®

Coduri specifice

cod UPC
594935037861
cod EAN13
5940747591414
Cod MPN
FDB2532
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: