Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 60V 50A DFN5x6 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 60V 50A DFN5x6 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 60V 50A DFN5x6

NTMFS5C670NLT1G
ONSEMI
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1,8W; DFN5x6
24,45 lei
20,21 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul ONSEMI N-MOSFET unipolar 60V 50A Idm: 440A 1,8W DFN5x6 este un produs de înaltă calitate, fabricat de ONSEMI. Acest tranzistor este disponibil într-un subtip de ambalaj sub formă de rolă sau bandă, fiind potrivit pentru montare SMD. Cu o putere disipată de 1,8W, acesta poate gestiona un curent de drenă în impuls de până la 440A.

Tranzistorul este polarizat unipolar și are un curent de drenă de 50A, o tensiune drenă-sursă de 60V și o tensiune poartă-sursă de ±20V. Cu o rezistență în timpul funcționării de 8,8mΩ, acest tranzistor N-MOSFET îmbogățit este ideal pentru aplicații care necesită o încărcătură poartă de 20nC.

Cu o carcasă DFN5x6 și un design fiabil, acest tranzistor ONSEMI este potrivit pentru diverse aplicații electronice care necesită un dispozitiv puternic și eficient. Alegeți acest tranzistor de încredere pentru performanțe superioare și durabilitate pe termen lung.
Detalii
ONSEMI
NTMFS5C670NLT1G

Fisa tehnica

Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
1,8W
Montare
SMD
Carcasă
DFN5x6
Curent de drenă în impuls
440A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
50A
Tensiune drenă-sursă
60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
8,8mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
20nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5943017377626
Cod MPN
NTMFS5C670NLT1G
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: