Categorii

  • Banner

  • ANPC te respecta

    ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

    Solutionare online a litigiilor
Tranzistor N-MOSFET 800V 1.8A 62.5W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 1.8A 62.5W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 1.8A 62.5W

SIHD2N80AE-GE3
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1,8A; Idm: 3,6A; 62,5W
12,48 lei
10,31 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1,8A Idm: 3,6A 62,5W de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, cu o serie de caracteristici remarcabile. Acesta este montat în format SMD și are o carcasă TO252/DPAK, oferind o putere disipată de 62,5W. Elementele semiconductoare sunt protejate împotriva electrostatică, asigurând o funcționare sigură și fiabilă.

Cu un curent de drenaj în impuls de 3,6A și un curent de drenaj de 1,8A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative. Tensiunea drenaj-sursă de 800V și tensiunea poartă-sursă de ±30V fac acest dispozitiv potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de tensiune.

Rezistența în timpul funcționării de 2,5Ω și subtipul canal îmbogățit îl fac ideal pentru utilizare în diferite medii de lucru. Cu o încărcătură de poartă de 10,5nC, acest tranzistor N-MOSFET este proiectat pentru a oferi performanțe superioare în aplicațiile dvs. electronice. Fiind un tranzistor unipolar, acesta poate fi polarizat într-un singur mod, facilitând integrarea sa în diverse circuite.

Cu toate aceste caracteristici excelente, acest tranzistor VISHAY este alegerea perfectă pentru proiectele dvs. electronice care necesită un dispozitiv puternic și fiabil.
Detalii
SIHD2N80AE-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Putere disipată
62,5W
Montare
SMD
Carcasă
DPAK
TO252
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Curent de drenă în impuls
3,6A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
1,8A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
2,5Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
10,5nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5947592425789
Cod MPN
SIHD2N80AE-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET unipolar PDFN5060-8 - Componentă semiconductoare de înaltă performanță pentru aplicații electronice | Electr

Cod: WMB099N10LGS-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET unipolar PDFN5060-8 - Componentă semiconductoare de înaltă performanță pentru aplicații electronice

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
6,93 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET unipolar PDFN5060-8 - Componentă semiconductoare de înaltă performanță pentru aplicații electronice
In stoc
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 9A 42W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componen

Cod: IRFR024PBF

Marca: VISHAY

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 9A 42W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 42W; DPAK,TO252
6,92 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 60V 9A 42W DPAK TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc