• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 600V 7A 110W DPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 7A 110W DPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 7A 110W DPAK

STD13N60M2
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
19,47 lei
16,09 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 7A 110W DPAK de la STMicroelectronics este un dispozitiv de semiconductori de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate excelentă. Acest tranzistor vine într-un subtip de ambalaj în rolă sau bandă, fiind ușor de montat într-o placă de circuit imprimat folosind tehnologia SMD. Cu o putere disipată de 110W, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini exigente fără probleme.

Caracteristicile elementelor semiconductoare sunt de asemenea remarcabile, tranzistorul fiind protejat împotriva descărcărilor electrostatice (ESD) la poarta sa. Fiind polarizat unipolar și având un curent de drenaj de 7A, acest tranzistor poate opera la o tensiune drenă-sursă de 600V și o tensiune poartă-sursă de ±25V. Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,38Ω, acest tranzistor N-MOSFET îmbogățit este potrivit pentru aplicațiile ce necesită o performanță superioară.

Datorită tehnologiei SuperMesh™, acest tranzistor oferă o combinație optimă între performanță și eficiență energetică, fiind alegerea perfectă pentru proiectele electronice complexe. Cu Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 7A 110W DPAK de la STMicroelectronics, veți avea certitudinea că dispozitivul dvs. funcționează la parametrii optimi în orice aplicație.
Detalii
STD13N60M2

Fisa tehnica

Producător
STMicroelectronics
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
110W
Montare
SMD
Carcasă
DPAK
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
7A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,38Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SuperMesh™

Coduri specifice

cod EAN13
5943464015928
Cod MPN
STD13N60M2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 55V 28A 68W DPAK - Componentă Electronică pentru Aplicații de Putere | Electronic-mag.ro | Componen

Cod: IRLR2705TRPBF

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 55V 28A 68W DPAK - Componentă Electronică pentru Aplicații de Putere

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
8,43 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 55V 28A 68W DPAK - Componentă Electronică pentru Aplicații de Putere
In stoc