• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Unipolar 600V 8A 53W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Unipolar 600V 8A 53W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Unipolar 600V 8A 53W

IPD60R280P7
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3
19,90 lei
16,45 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 8A 53W PG-TO252-3 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru performanțe excelente în aplicațiile electronice. Montarea SMD și carcasa PG-TO252-3 facilitează integrarea ușoară în diverse dispozitive electronice.

Cu o putere disipată de 53W, acest tranzistor oferă o disipare eficientă a căldurii, asigurând fiabilitate și durabilitate pe termen lung. Caracteristicile elementelor semiconductoare, cum ar fi poarta protejată ESD, garantează protecție împotriva supratensiunilor și avarierilor.

Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 8A fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații de comutare de putere. Tensiunea drenaj-sursă de 600V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și sigură.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,28Ω, acest tranzistor oferă performanțe excelente în aplicații de putere. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 18nC sunt optimizate pentru performanțe ridicate.

Tranzistorul N-MOSFET este un produs CoolMOS™ P7, ceea ce îl face alegerea perfectă pentru aplicații de putere cu cerințe ridicate de performanță și eficiență. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES pentru o soluție fiabilă și de înaltă performanță în proiectele dvs. electronice.
Detalii
IPD60R280P7

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată
53W
Montare
SMD
Carcasă
PG-TO252-3
Caracteristici elemente semiconductoare
ESD protected gate
Polarizare
unipolar
Curent drenă
8A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,28Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
18nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
CoolMOS™ P7

Coduri specifice

cod UPC
594670188323
cod EAN13
5943710417353
Cod MPN
IPD60R280P7ATMA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 55V 16A 38W DPAK - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componente El

Cod: IRFR024NTRPBF

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 55V 16A 38W DPAK - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
6,10 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 55V 16A 38W DPAK - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 15A 52W DPAK - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Componente E

Cod: IRFR3910TRPBF

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 15A 52W DPAK - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
8,05 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 100V 15A 52W DPAK - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc