• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 100V 100A 96W 5x6mm | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 100A 96W 5x6mm | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 100A 96W 5x6mm

CSD19533Q5AT
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm
20,58 lei
17,01 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 100A 96W VSONP8 5x6mm de la TEXAS INSTRUMENTS este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită putere și eficiență. Acest tranzistor are o putere disipată de 96W, dimensiuni compacte de 5x6mm și o carcasă VSONP8, ceea ce îl face ușor de integrat în diverse proiecte.

Cu o polarizare unipolară, tranzistorul poate controla un curent de drenaj de până la 100A și o tensiune drenaj-sursă de 100V. Tensiunea poartă-sursă este de ±20V, iar rezistența în timpul funcționării este de 7,8mΩ, asigurând o funcționare stabilă și eficientă.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 27nC, permițând o comutare rapidă și eficientă a semnalului. Acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia NexFET™, garantând performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung în aplicațiile dumneavoastră electronice.
Detalii
CSD19533Q5AT

Fisa tehnica

Producător
TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
96W
Montare
SMD
Dimensiuni
5x6mm
Carcasă
VSONP8
Polarizare
unipolar
Curent drenă
100A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
7,8mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
27nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
NexFET™

Coduri specifice

cod UPC
594312527176
cod EAN13
5949646110931
Cod MPN
CSD19533Q5AT
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: