• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 100V 50A 83W VSON-CLIP8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 50A 83W VSON-CLIP8 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 50A 83W VSON-CLIP8

CSD19537Q3T
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 83W; VSON-CLIP8
16,38 lei
13,54 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 50A 83W VSON-CLIP8 de la TEXAS INSTRUMENTS este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, potrivit pentru o varietate de aplicații industriale și comerciale. Cu o putere disipată de 83W și dimensiuni compacte de 3,3x3,3mm, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă în condiții de funcționare intense.

Caracteristicile cheie ale acestui tranzistor includ o polarizare unipolară, ceea ce îl face ușor de integrat în diverse circuite electronice. Cu o rezistență în timpul funcționării de 12,1mΩ, acest dispozitiv asigură o conducere eficientă a curentului, având un curent de drenaj de 50A și o tensiune drenaj-sursă de 100V.

Tranzistorul N-MOSFET de la TEXAS INSTRUMENTS beneficiază de tehnologia NexFET™, care îmbunătățește performanța și fiabilitatea dispozitivului. Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 16nC, acest tranzistor oferă o funcționare stabilă și eficientă într-o gamă largă de aplicații.

Cu un subtip de ambalaj în rolă și bandă și o montare SMD simplă, acest tranzistor este ușor de integrat în designurile dvs. electronice. Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 50A 83W VSON-CLIP8 de la TEXAS INSTRUMENTS este alegerea ideală pentru performanță și fiabilitate.
Detalii
CSD19537Q3T

Fisa tehnica

Producător
TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
83W
Montare
SMD
Dimensiuni
3,3x3,3mm
Carcasă
VSON-CLIP8
Polarizare
unipolar
Curent drenă
50A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
12,1mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
16nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
NexFET™

Coduri specifice

cod UPC
594945115917
cod EAN13
5944065801125
Cod MPN
CSD19537Q3T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: