Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 59A Idm: 330A 200W D2PAK de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Cu o putere disipată de 200W și o carcasă D2PAK, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile într-un design compact.
Cu un curent de drenă în impuls de 330A și o polarizare unipolară, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o funcționare fiabilă și eficientă. Cu un curent de drenă de 59A și o tensiune drenă-sursă de 60V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 12mΩ, acest tranzistor asigură o disipare eficientă a căldurii, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță termică. Subtipul canal îmbogățit și tehnologia HEXFET® asigură o funcționare stabilă și fiabilă într-o gamă diversă de aplicații.
În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 59A Idm: 330A 200W D2PAK de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea perfectă pentru cei care caută un tranzistor de înaltă performanță, fiabil și eficient din punct de vedere energetic.
Detalii
IRF1010ESTRLPBF
Fisa tehnica
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată
200W
Montare
SMD
Carcasă
D2PAK
Curent de drenă în impuls
330A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
59A
Tensiune drenă-sursă
60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
12mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®
Coduri specifice
cod EAN13
5945342728067
Cod MPN
IRF1010ESTRLPBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.