• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET TrenchFET 60V 8.5A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET TrenchFET 60V 8.5A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET TrenchFET 60V 8.5A

SI4850EY-T1-E3
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8,5A; Idm: 40A
20,04 lei
16,56 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET TrenchFET® unipolar 60V 8,5A Idm: 40A de la VISHAY este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a puterii. Acest tranzistor este proiectat cu tehnologia TrenchFET®, care asigură o disipare eficientă a căldurii și o rezistență redusă în timpul funcționării, de doar 47mΩ. Cu o putere disipată de 3,3W și o tensiune drenă-sursă de 60V, acest tranzistor oferă o performanță fiabilă și constantă.

Montarea acestui tranzistor este simplă, datorită carcasei SO8 și subtipurilor de ambalaj în rolă sau bandă, fiind potrivit pentru montajul pe suprafata (SMD). Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații, iar tensiunea poartă-sursă de ±20V și încărcătura de poartă de 27nC asigură o funcționare optimă și stabilă. Cu un curent de drenaj de 8,5A și un curent de drenaj în impuls de 40A, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini de putere semnificative.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET TrenchFET® de la VISHAY este o alegere excelentă pentru proiectele electronice care necesită performanță, fiabilitate și eficiență într-un pachet compact și ușor de montat.
Detalii
SI4850EY-T1-E3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
3,3W
Montare
SMD
Carcasă
SO8
Curent de drenă în impuls
40A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
8,5A
Tensiune drenă-sursă
60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
47mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
27nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod UPC
594027154872
cod EAN13
5949992867312
Cod MPN
SI4850EY-T1-E3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO263 - Componentă Semiconductoare de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro |

Cod: WMM10N60C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO263 - Componentă Semiconductoare de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO263
6,05 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 8A 57W TO263 - Componentă Semiconductoare de Înaltă Performanță
In stoc