• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 100V 11.1A 50W DPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 11.1A 50W DPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 11.1A 50W DPAK

FDD850N10L
ONSEMI
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11,1A; 50W; DPAK
12,84 lei
10,61 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 11,1A 50W DPAK de la ONSEMI este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe în domeniul electronicelor. Acest tranzistor impresionant vine cu o serie de caracteristici importante care îl fac o alegere ideală pentru aplicațiile tale.

Cu o putere disipată de 50W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de lucru intense fără probleme. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 11,1A îl fac potrivit pentru o varietate de aplicații. De asemenea, tensiunea drenaj-sursă de 100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și fiabilă în diferite condiții de lucru.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 75mΩ, acest tranzistor asigură o eficiență și performanță optimă. Carcasa DPAK și montarea SMD îl fac ușor de integrat în diferite proiecte electronice. Subtipul canal îmbogățit și tipul tranzistor N-MOSFET completează caracteristicile impresionante ale acestui dispozitiv.

În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 11,1A 50W DPAK de la ONSEMI este alegerea perfectă pentru cei care caută performanță, fiabilitate și eficiență într-un singur produs electronic de înaltă calitate. Alege acest tranzistor și vei fi impresionat de rezultatele obținute!
Detalii
ONSEMI
FDD850N10L

Fisa tehnica

Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
50W
Montare
SMD
Carcasă
DPAK
Polarizare
unipolar
Curent drenă
11,1A
Tensiune drenă-sursă
100V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
75mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod UPC
594003112469
cod EAN13
5942603131802
Cod MPN
FDD850N10L
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: