Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a oferi o funcționare fiabilă și eficientă într-o varietate de aplicații. Acest tranzistor este montat în tehnologia SMD, având o carcasă compactă de tip PG-TDSON-8. Cu o putere disipată de 50W, acesta poate gestiona cu ușurință sarcini de curent mari, având o rezistență în timpul funcționării de doar 10mΩ.
Cu caracteristici de elemente semiconductoare de nivel logic, acest tranzistor N-MOSFET are un curent de drenaj în impuls de 200A și un curent de drenaj continuu de 36A. Tensiunea drenaj-sursă este de 60V, în timp ce tensiunea poartă-sursă poate ajunge până la ±20V. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 45nC.
Cu o polarizare unipolară și tehnologia OptiMOS™ 3, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile și fiabilitate pe termen lung. Indiferent de aplicația dumneavoastră, tranzistorul N-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea ideală pentru o funcționare optimă și eficientă.
Detalii
BSC100N06LS3GATMA1
Fisa tehnica
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată
50W
Montare
SMD
Carcasă
PG-TDSON-8
Caracteristici elemente semiconductoare
logic level
Curent de drenă în impuls
200A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
36A
Tensiune drenă-sursă
60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
10mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
45nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
OptiMOS™ 3
Coduri specifice
cod EAN13
5947725824038
Cod MPN
BSC100N06LS3GATMA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.