Tranzistorul N-MOSFET unipolar ONSEMI este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor are o tensiune drenă-sursă de 600V și poate suporta un curent de drenaj de până la 2,4A, ceea ce îl face ideal pentru aplicații de putere medie. Carcasa DPAK asigură o disipare eficientă a căldurii, permitându-i să funcționeze la putere maximă de 83W.
Cu o polarizare unipolară și o rezistență în timpul funcționării de 2Ω, acest tranzistor oferă performanțe stabile și fiabile în diverse condiții de funcționare. Subtipul de canal îmbogățit îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță și eficiență. Montarea SMD facilitează integrarea acestui tranzistor într-o varietate de circuite electronice.
Tranzistorul N-MOSFET unipolar ONSEMI este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită un dispozitiv de comutare puternic și eficient energetic. Cu o tensiune poartă-sursă de ±25V, acest tranzistor oferă o margine de siguranță suficientă pentru a asigura o funcționare stabilă și fiabilă în aplicațiile dumneavoastră. Optați pentru calitate și performanță superioară cu tranzistorul N-MOSFET unipolar ONSEMI!