N-MOSFET Unipolar 60V 5.3A SO8

Tranzistorul VISHAY N-MOSFET unipolar 60V 5,3A Idm: 20A 2W SO8 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului. Acest tranzistor dispune de o putere disipată de 2W și poate suporta un curent de drenă în impuls de până la 20A, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații industriale și comerciale.

Cu o tensiune drenă-sursă de 60V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în condiții de funcționare variate. Cu o rezistență în timpul funcționării de 58mΩ, acesta asigură o disipare eficientă a căldurii, ceea ce contribuie la o durată lungă de viață a dispozitivului.

Tranzistorul N-MOSFET are un subtip canal îmbogățit și o încărcătură poartă de 20nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de comutare. Cu un subtip de ambalaj SO8 și montare SMD, acest tranzistor este ușor de integrat în diferite tipuri de circuite electronice.

În concluzie, tranzistorul VISHAY N-MOSFET unipolar 60V 5,3A Idm: 20A 2W SO8 este alegerea perfectă pentru cei care caută un component electronic fiabil, performant și versatil pentru proiectele lor.