• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

N-MOSFET Tranzistor 500V 2.5A 50W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 500V 2.5A 50W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 500V 2.5A 50W

IRF820ASPBF
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2,5A; Idm: 10A; 50W
16,49 lei
13,63 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe ale utilizatorilor. Acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare de până la 50W și un curent de drenaj în impuls de 10A. Cu o tensiune drenaj-sursă de 500V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile într-o varietate de aplicații.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 3Ω și un curent de drenaj de 2,5A, acest tranzistor este potrivit pentru utilizare în medii exigente. Carcasa D2PAK sau TO263 oferă protecție suplimentară împotriva factorilor externi și asigură o durabilitate sporită a produsului. Montarea SMD face instalarea rapidă și ușoară, economisind timp și efort utilizatorilor.

Subtipul de canal îmbogățit și polarizarea unipolară fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile care necesită o performanță excelentă și o fiabilitate ridicată. Cu o încărcătură de poartă de 17nC, acest tranzistor oferă o comutare rapidă și eficientă a semnalelor.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar de la VISHAY este o alegere excelentă pentru cei care caută un produs de calitate superioară, cu performanțe remarcabile și o durabilitate sporită. Alegeți VISHAY pentru a vă asigura că aveți parte de cel mai bun tranzistor pentru nevoile dvs. electronice.
Detalii
IRF820ASPBF

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
50W
Montare
SMD
Carcasă
D2PAK
TO263
Curent de drenă în impuls
10A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
2,5A
Tensiune drenă-sursă
500V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
17nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5946532567190
Cod MPN
IRF820ASPBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: