• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET 55V 30A 110W DPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 55V 30A 110W DPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 55V 30A 110W DPAK

IRLR2905TRPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
15,43 lei
12,75 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 55V 30A Idm: 160A 110W DPAK de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice care necesită o performanță fiabilă și eficientă. Acest tranzistor este disponibil într-un subtip de ambalaj sub formă de rolă și poate fi montat cu ușurință folosind tehnologia SMD.

Carcasa DPAK oferă o protecție excelentă împotriva factorilor de mediu și asigură o disipare eficientă a puterii de până la 110W. Elementele semiconductoare ale acestui tranzistor sunt proiectate pentru un nivel logic și oferă rezistență în timpul funcționării de 27mΩ.

Cu o curent de drenă în impuls de 160A și un curent de drenă de 30A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative. Tensiunea drenă-sursă de 55V și tensiunea poartă-sursă de ±16V asigură o funcționare stabilă și eficientă în diverse aplicații.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 48nC contribuie la performanța superioară a acestui tranzistor. Fiind un N-MOSFET, acesta beneficiază de tehnologia HEXFET®, ceea ce îl face potrivit pentru o gamă variată de aplicații electronice.
Detalii
IRLR2905TRPBF

Fisa tehnica

Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
rolă
Putere disipată
110W
Montare
SMD
Carcasă
DPAK
Caracteristici elemente semiconductoare
logic level
Curent de drenă în impuls
160A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
30A
Tensiune drenă-sursă
55V
Tensiune poartă-sursă
±16V
Rezistenţă în timpul funcţionării
27mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
48nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5944014055609
Cod MPN
IRLR2905TRPBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET Unipolar 40V 40A 35W PG-TDSON-8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Compone

Cod: BSC093N04LSGATMA1

Marca: INFINEON TECHNOLOGIES

Tranzistor N-MOSFET Unipolar 40V 40A 35W PG-TDSON-8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
6,93 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET Unipolar 40V 40A 35W PG-TDSON-8 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 6A 45W TO263 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMM09N60C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 6A 45W TO263 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO263
6,05 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 6A 45W TO263 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc