• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET TrenchFET® Unipolar 60V, 3,2A Idm 10A - Componentă Electronică Avansată | Electronic-mag.ro | Componente Ele
  • Tranzistor N-MOSFET TrenchFET® Unipolar 60V, 3,2A Idm 10A - Componentă Electronică Avansată | Electronic-mag.ro | Componente Ele

Tranzistor N-MOSFET TrenchFET® Unipolar 60V, 3,2A Idm 10A - Componentă Electronică Avansată

SI3458BDV-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3,2A; Idm: 10A
8,91 lei
7,36 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3,2A; Idm: 10A
Detalii
SI3458BDV-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
2,1W
Montare
SMD
Carcasă
TSOP6
Curent de drenă în impuls
10A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
3,2A
Tensiune drenă-sursă
60V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,1Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
11nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5940791628951
Cod MPN
SI3458BDV-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: