Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 75A SMC DIODE SOLUTIONS T2PAK SMD oferă performanțe superioare datorită tehnologiei avansate Silicon Carbide (SiC), asigurând eficiență ridicată și disipare termică optimă, cu o putere disipată de 576W. Carcasa robustă T2PAK și montarea SMD facilitează integrarea compactă și fiabilă în aplicații exigente. Cu un curent de drenă continuu de 75A și un curent impuls de 250A, acest tranzistor suportă sarcini intense, menținând o rezistență în timpul funcționării de doar 25mΩ. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit asigură un control precis, în timp ce tensiunea maximă drenă-sursă de 1,2kV și intervalul de tensiune poartă-sursă între -4V și 18V garantează flexibilitate operațională. Terminalul Kelvin optimizează performanța elementelor semiconductoare, iar încărcătura poartă de 287nC conferă un răspuns rapid și stabil. Ambalajul în tub facilitează manipularea și protecția componentelor. Produsul SMC DIODE SOLUTIONS se remarcă prin fiabilitate și durabilitate, oferind o soluție avansată pentru cerințe tehnice ridicate.
Detalii
S3M0016120B-SMC
Fisa tehnica
Producător
SMC DIODE SOLUTIONS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
576W
Montare
SMD
Carcasă
T2PAK
Caracteristici elemente semiconductoare
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls
250A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
75A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Tensiune poartă-sursă
-4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării
25mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
287nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC
Coduri specifice
cod EAN13
5945156055724
Cod MPN
S3M0016120B
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.