• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 3A; 200W; TO263
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 3A; 200W; TO263
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 3A; 200W; TO263

Tranzistor N-MOSFET IXYS 1,2kV 3A 200W TO263 SMD unipolar

IXFA3N120
IXYS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 1,2kV; 3A; 200W; TO263
87,34 lei
72,18 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET IXYS, cu o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent maxim de drenă de 3A, oferă performanțe ridicate în aplicații ce necesită gestionarea puterii. Carcasa TO263 și montarea SMD asigură o integrare compactă și eficientă pe plăci de circuit imprimat, optimizând disiparea termică, cu o putere disipată de până la 200W. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit conferă un comportament stabil și rapid, iar încărcătura poartă de 39 nC permite comutare eficientă și control precis. Ambalajul tip tub facilitează manipularea și protecția componentelor. Fabricat de IXYS, acest N-MOSFET combină fiabilitatea cu performanța superioară într-un design robust, potrivit pentru cerințe exigente în domeniul electronicii de putere.
Detalii
IXFA3N120

Fisa tehnica

Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
200W
Montare
SMD
Carcasă
TO263
Polarizare
unipolar
Curent drenă
3A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
39nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5948508337493
Cod MPN
IXFA3N120
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.