Tranzistorul N-MOSFET IXYS, cu o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent maxim de drenă de 3A, oferă performanțe ridicate în aplicații ce necesită gestionarea puterii. Carcasa TO263 și montarea SMD asigură o integrare compactă și eficientă pe plăci de circuit imprimat, optimizând disiparea termică, cu o putere disipată de până la 200W. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit conferă un comportament stabil și rapid, iar încărcătura poartă de 39 nC permite comutare eficientă și control precis. Ambalajul tip tub facilitează manipularea și protecția componentelor. Fabricat de IXYS, acest N-MOSFET combină fiabilitatea cu performanța superioară într-un design robust, potrivit pentru cerințe exigente în domeniul electronicii de putere.
Detalii
IXFA3N120
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
200W
Montare
SMD
Carcasă
TO263
Polarizare
unipolar
Curent drenă
3A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
39nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Coduri specifice
cod EAN13
5948508337493
Cod MPN
IXFA3N120
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.