EVERLIGHT Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 5,2A TO263-7 SMD reprezintă o soluție avansată de comutare, proiectată cu tehnologie Silicon Carbide (SiC) pentru performanțe superioare și eficiență sporită. Fabricat de EVERLIGHT, acest tranzistor unipolar N-MOSFET cu subtip canal îmbogățit oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 1,7kV și un curent drenă de 5,2A, asigurând o capacitate ridicată de gestionare a puterii. Montarea SMD pe carcasă TO263-7 facilitează integrarea rapidă și sigură în diverse aplicații. Caracteristica terminalului Kelvin optimizează precizia controlului poartă-drenă și reduce pierderile. Intervalul de tensiune poartă-sursă variază între -4V și 20V, iar încărcătura poartă de 8,9nC contribuie la o tranzitie rapidă și eficientă. Rezistența în timpul funcționării este de numai 1,5Ω, ceea ce reduce disiparea de putere și crește fiabilitatea dispozitivului. Acest tranzistor N-MOSFET SiC este ideal pentru utilizatorii care caută performanță ridicată și durabilitate într-un pachet compact și robust.
Detalii
EL-MAH01170XA
Fisa tehnica
Producător
EVERLIGHT
Montare
SMD
Carcasă
TO263-7
Caracteristici elemente semiconductoare
terminal Kelvin
Polarizare
unipolar
Curent drenă
5,2A
Tensiune drenă-sursă
1,7kV
Tensiune poartă-sursă
-4...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1,5Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
8,9nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC
Coduri specifice
cod EAN13
5944685013052
Cod MPN
EL-MAH01170XA
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.