Tranzistorul N-MOSFET INFINEON 200V 84A 300W PG-TO263-3 SMD, fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, oferă performanțe superioare în aplicații de comutație și amplificare datorită tehnologiei avansate OptiMOS™ FD. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 200V și un curent drenă de până la 84A, acest dispozitiv asigură o putere disipată de 300W, ideală pentru gestionarea sarcinilor electrice ridicate. Carcasa compactă PG-TO263-3, montarea SMD și polarizarea unipolară facilitează integrarea în circuite moderne, economisind spațiu și optimizând disiparea termică. Rezistența redusă în timpul funcționării, de doar 11,7mΩ, contribuie la eficiență energetică crescută și minimizarea pierderilor. Subtipul canalului îmbogățit și toleranța tensiunii poartă-sursă de ±20V asigură stabilitate și fiabilitate în diverse condiții de operare. Acest tranzistor N-MOSFET este soluția ideală pentru aplicații industriale, electrice și electronice ce necesită performanță ridicată, durabilitate și eficiență optimă.
Detalii
IPB117N20NFDATMA1
Fisa tehnica
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată
300W
Montare
SMD
Carcasă
PG-TO263-3
Polarizare
unipolar
Curent drenă
84A
Tensiune drenă-sursă
200V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
11,7mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
OptiMOS™ FD
Coduri specifice
cod EAN13
5946649522921
Cod MPN
IPB117N20NFDATMA1
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.