Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 11A SMC DIODE SOLUTIONS D2PAK-7 SMD

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 11A de la SMC DIODE SOLUTIONS este soluția ideală pentru aplicații industriale și de putere care necesită performanță superioară și fiabilitate crescută. Fabricat pe tehnologie Silicon Carbide (SiC), acest dispozitiv oferă o tensiune drenă-sursă de 1200V și un curent de drenă continuu de 11A, asigurând gestionarea eficientă a sarcinilor electrice în medii solicitante. Cu un curent de drenă în impuls de 40A, tranzistorul suportă vârfuri de sarcină ridicate fără degradare.

Carcasa D2PAK-7, destinată montării SMD, permite disiparea termică optimă, susținută de o putere disipată de 122W, asigurând stabilitate termică chiar și în condiții de funcționare intensă. Designul cu terminal Kelvin minimizează pierderile și îmbunătățește răspunsul dinamic al dispozitivului. Rezistența în timpul funcționării este redusă la 0,3Ω, optimizând eficiența energetică a circuitului.

Tranzistorul este unipolar, cu canal îmbogățit, având o tensiune poartă-sursă ajustabilă între -5V și 20V și o încărcătură poartă de 26,5nC, facilitând un control precis și rapid al dispozitivului. Ambalajul în tub asigură manipulare și integrare facilă în procesele de producție automatizate. Acest N-MOSFET SiC reprezintă o alegere excelentă pentru convertoare statice, invertoare și alte aplicații de înaltă tensiune și frecvență, oferind eficiență, durabilitate și performanță remarcabilă.