Tranzistor N-MOSFET IXYS 1kV 0,8A 60W TO252 SMD

Tranzistorul N-MOSFET IXYS, cu o tensiune drenă-sursă de 1kV și un curent maxim de 0,8A, este soluția ideală pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată în condiții de putere moderată. Proiectat pentru montare SMD în carcasă TO252, acest dispozitiv unipolar oferă o disipare a puterii de până la 60W, asigurând performanță stabilă și fiabilă chiar și în medii solicitante. Rezistența în timpul funcționării de 21Ω contribuie la minimizarea pierderilor și la optimizarea consumului energetic, în timp ce încărcătura poartă de 325nC facilitează un control precis și rapid al comutării. Subtipul canalului sărăcit conferă caracteristici excelente de comutare, făcând acest tranzistor potrivit pentru circuite de putere, surse de alimentare și aplicații industriale diverse. Ambalajul în tub asigură o manipulare și integrare facilă în procesele de producție automatizate, iar marca IXYS garantează calitate și durabilitate. Acest N-MOSFET reprezintă o alegere excelentă pentru ingineri și proiectanți ce caută un component robust, eficient și versatil.