Tranzistor N-MOSFET IXYS 100W 1,6A 1kV TO252 SMD unipolar

Tranzistorul N-MOSFET IXYS, cu o putere disipată de 100W și curent drenă de 1,6A, reprezintă o soluție robustă și eficientă pentru aplicații de comutație și reglare a puterii. Carcasa TO252 și montarea SMD asigură o integrare compactă și fiabilă în circuite electronice moderne. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 1kV și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor suportă condiții de operare exigente, garantând stabilitate și performanță ridicată. Polarizarea unipolară și subtipul canal sărăcit oferă un control precis și eficient al curentului. Rezistența în timpul funcționării de numai 10Ω minimizează pierderile de energie, iar încărcătura poartă de 645nC facilitează comutarea rapidă, cu un timp de restabilire de 11ns, ideal pentru circuite cu frecvențe înalte. Ambalajul tip tub conferă protecție suplimentară componentelor în procesul de manipulare și montare. Acest N-MOSFET IXYS este alegerea optimă pentru inginerii care caută fiabilitate, performanță și eficiență în aplicații industriale, de putere și control electronic.