Tranzistorul N-MOSFET IXYS 500V 1,6A 100W în carcasă TO252 reprezintă soluția ideală pentru aplicații care necesită comutare rapidă și gestionarea eficientă a puterii. Proiectat pentru montare SMD, acest tranzistor unipolar oferă o tensiune drenă-sursă de 500V și un curent maxim de 1,6A, asigurând performanțe stabile chiar și în condiții exigente. Cu o putere disipată de 100W și o rezistență în timpul funcționării de doar 2,3Ω, dispozitivul minimizează pierderile și optimizează eficiența circuitului. Încărcătura poartă de 23,7nC și timpul de restabilire de 400ns permit o comutare rapidă, esențială în aplicații de control al motoarelor, surse de alimentare și convertoare. Polarizarea unipolară și subtipul canal sărăcit contribuie la un control precis și fiabil al semnalului. Ambalajul tip tub facilitează manipularea și integrarea în procesele de producție automate. Tranzistorul IXYS N-MOSFET este alegerea optimă pentru ingineri care caută un component durabil, performant și adaptabil pentru proiecte electronice avansate.
Detalii
IXTY1R6N50D2
Fisa tehnica
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
100W
Montare
SMD
Carcasă
TO252
Polarizare
unipolar
Curent drenă
1,6A
Tensiune drenă-sursă
500V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
2,3Ω
Subtip canal
sărăcit
Încărcătură poartă
23,7nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Timp de restabilire
400ns
Coduri specifice
cod EAN13
5940633980667
Cod MPN
IXTY1R6N50D2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.