• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 15A SMD TOLL SMC DIODE SOLUTIONS

S2M0120120T-SMC
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 15A; Idm: 66A; 156W; TOLL
33,35 lei
27,56 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 15A SMD TOLL de la SMC DIODE SOLUTIONS reprezintă o soluție de înaltă performanță pentru aplicații industriale și de putere, unde eficiența și fiabilitatea sunt esențiale. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 1,2 kV și un curent continuu de drenă de 15A, acest dispozitiv este ideal pentru comutarea rapidă și gestionarea sarcinilor mari în medii solicitante. Tehnologia pe bază de carbura de siliciu (SiC) asigură o disipare termică superioară, cu o putere disipată maximă de 156W, și o rezistență în timpul funcționării de doar 212mΩ, minimizând pierderile și creșterea temperaturii. Tranzistorul este de tip unipolar, cu canal îmbogățit, oferind o polarizare stabilă și o încărcătură de poartă redusă (29,6nC), ceea ce facilitează comutarea rapidă și eficientă din punct de vedere energetic. Designul cu terminal Kelvin asigură o precizie crescută în controlul curentului, iar curentul de drenă în impuls poate atinge 66A, susținând astfel sarcini dinamice intense. Ambalarea în rolă și bandă, cu montare SMD în carcasă TOLL, permite integrarea facilă în procesele moderne de asamblare automată. Intervalul de tensiune poartă-sursă (-5 până la 20V) oferă flexibilitate în proiectare, iar caracteristicile robuste îl recomandă pentru utilizare în convertoare de putere, invertoare, surse de alimentare și aplicații de control motor. Acest N-MOSFET SiC combină tehnologia avansată cu un design compact, oferind performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.
Detalii
S2M0120120T-SMC

Fisa tehnica

Producător
SMC DIODE SOLUTIONS
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
156W
Montare
SMD
Carcasă
TOLL
Caracteristici elemente semiconductoare
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls
66A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
15A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Tensiune poartă-sursă
-5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
212mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
29,6nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod EAN13
5941731504557
Cod MPN
S2M0120120T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.