• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 12A SMD TOLL SMC DIODE SOLUTIONS

S2M0160120T-SMC
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 12A; Idm: 40A; 121W; TOLL
28,80 lei
23,80 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 12A SMD TOLL de la SMC DIODE SOLUTIONS este soluția ideală pentru aplicații industriale și de înaltă performanță care necesită comutare rapidă și eficiență energetică superioară. Fabricat în tehnologie SiC (carbură de siliciu), acest tranzistor oferă o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent de drenă continuu de 12A, cu un curent de drenă în impuls de până la 40A, asigurând astfel o rezistență ridicată la suprasarcini și condiții extreme de funcționare.

Cu o putere disipată de 121W, montaj SMD în carcasă TOLL și ambalare practică în rolă și bandă, dispozitivul facilitează integrarea eficientă în circuite compacte. Caracteristica terminalului Kelvin contribuie la reducerea pierderilor și îmbunătățirea răspunsului dinamic, iar rezistența internă în timpul funcționării de doar 0,3Ω optimizează performanța și reduce căldura generată.

Tranzistorul este de tip N-MOSFET cu canal îmbogățit și polarizare unipolară, cu tensiune poartă-sursă între -5V și 20V și încărcătură poartă de 26,5 nC, oferind control precis și stabilitate în aplicații de comutare rapidă și conversie de putere. Ideal pentru surse de alimentare, invertoare și sisteme de control industrial, acest N-MOSFET SiC este o alegere robustă și fiabilă pentru proiecte ce necesită performanță ridicată și durabilitate pe termen lung.
Detalii
S2M0160120T-SMC

Fisa tehnica

Producător
SMC DIODE SOLUTIONS
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
121W
Montare
SMD
Carcasă
TOLL
Caracteristici elemente semiconductoare
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls
40A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
12A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Tensiune poartă-sursă
-5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,3Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
26,5nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC

Coduri specifice

cod EAN13
5940627711482
Cod MPN
S2M0160120T
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.