Tranzistorul N-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES, model cu carcasă D2PAK și montare SMD, este proiectat pentru aplicații de putere ridicată, oferind performanțe remarcabile datorită tehnologiei HEXFET®. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 75V și un curent de drenă continuu de 174A, acest dispozitiv asigură o disipare termică eficientă de până la 375W, fiind ideal pentru circuite de comutare rapidă și de înaltă eficiență energetică. Curentul de drenă în impuls poate atinge 984A, facilitând gestionarea suprasarcinilor fără pierderi semnificative. Rezistența scăzută în timpul funcționării, de 2,6mΩ, minimizează căldura disipată și crește eficiența sistemului. Tranzistorul are o polarizare unipolară și un subtip de canal îmbogățit, cu o încărcătură poartă de 407nC, ceea ce asigură un răspuns rapid și stabil în aplicații de alimentare și control motor. Ambalarea pe rolă facilitează manipularea și integrarea automatizată în procesele de producție. Acest N-MOSFET reprezintă o soluție robustă și fiabilă pentru inginerii care caută performanță superioară în proiectele electronice de putere.
Detalii
IRFS7730TRLPBF
Fisa tehnica
Producător
INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj
rolă
Putere disipată
375W
Montare
SMD
Carcasă
D2PAK
Curent de drenă în impuls
984A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
174A
Tensiune drenă-sursă
75V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
2,6mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
407nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
HEXFET®
Coduri specifice
cod EAN13
5942322321164
Cod MPN
IRFS7730TRLPBF
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.