Tranzistor VISHAY N-MOSFET 100V 60A SMD TO263 TrenchFET®

Tranzistorul VISHAY N-MOSFET 100V 60A SMD TO263 TrenchFET® este o soluție performantă și fiabilă pentru aplicații de comutație și amplificare în circuite electronice moderne. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor în tehnologie TrenchFET® oferă o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 41mΩ, asigurând eficiență ridicată și disipare minimă a energiei. Cu o tensiune maximă drenă-sursă de 100V și un curent continuu de drenă de 60A, plus un curent de drenă în impuls de 100A, dispozitivul este potrivit pentru sarcini intense și solicitante. Carcasa TO263, montată prin tehnologie SMD, facilitează integrarea compactă pe plăci de circuit imprimat, iar ambalajul pe rolă și bandă optimizează procesul de asamblare automatizată. Polarizarea unipolară și canalul îmbogățit, împreună cu o încărcătură a porții de 0,1µC și o tensiune poartă-sursă de ±20V, oferă un control precis și stabilitate în funcționare. Cu o putere disipată de 150W, acest N-MOSFET este ideal pentru aplicații industriale, surse de alimentare, convertoare DC-DC și sisteme de control motor, garantând performanțe ridicate și durabilitate extinsă.