• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

VISHAY Tranzistor N-MOSFET Schottky 25V 60A SMD PowerPAK SO8

SIRC16DP-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A
14,59 lei
12,06 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A
Detalii
SIRC16DP-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
34,7W
Montare
SMD
Carcasă
PowerPAK® SO8
Curent de drenă în impuls
250A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
60A
Tensiune drenă-sursă
25V
Tensiune poartă-sursă
-16...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1,4mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
105nC
Tip tranzistor
N-MOSFET + Schottky
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5940517960839
Cod MPN
SIRC16DP-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.