• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

VISHAY Tranzistor N-MOSFET TrenchFET® 20V 169A SMD PowerPAK® 1212-8

SISS80DN-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
13,83 lei
11,43 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Detalii
SISS80DN-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
42W
Montare
SMD
Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Curent de drenă în impuls
300A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
169A
Tensiune drenă-sursă
20V
Tensiune poartă-sursă
-8...12V
Rezistenţă în timpul funcţionării
3mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
122nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5942067695971
Cod MPN
SISS80DN-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.