• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
  • Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
  • Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W

Tranzistor N-MOSFET VISHAY 30V 30A SMD PowerPAK SO8 TrenchFET

SIRA28BDP-T1-GE3
VISHAY
Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
4,15 lei
3,43 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Detalii
SIRA28BDP-T1-GE3

Fisa tehnica

Producător
VISHAY
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
11W
Montare
SMD
Carcasă
PowerPAK® SO8
Curent de drenă în impuls
90A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
30A
Tensiune drenă-sursă
30V
Tensiune poartă-sursă
-16...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
12mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
14nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
TrenchFET®

Coduri specifice

cod EAN13
5945974405893
Cod MPN
SIRA28BDP-T1-GE3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.