
Cod: STD25NF10LA
Marca: STMicroelectronics
Politica de securitate
Politica de livrare
Politica de returnare
Termeni si conditii
Informatii GDPR
Tranzistorul N-MOSFET ONSEMI FDB0190N807L este proiectat pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Cu o tensiune drenă-sursă de 80V și un curent de drenă de 190A, acest component suportă sarcini electrice intense, fiind ideal pentru circuite de putere.
Ambalajul în rolă și bandă facilitează integrarea în procesele automate de asamblare. Carcasa D2PAK-6 asigură o disipare termică eficientă, iar caracteristicile electrice avansate îl recomandă pentru utilizarea în surse de alimentare, convertoare și alte echipamente electronice de putere.
Fisa tehnica
Coduri specifice
Cod: STD25NF10LA
Marca: STMicroelectronics
Cod: WMM015N08HGS-CYG
Marca: Wayo
Cod: DMN6040SK3-13
Marca: DIODES INCORPORATED
Cod: IRL540NSTRLPBF
Marca: INFINEON TECHNOLOGIES
Cod: STB40NF10LT4
Marca: STMicroelectronics
Cod: IRFR210PBF
Marca: VISHAY
Cod: FDV303N
Marca: ONSEMI
Cod: WMB025N06LG4-CYG
Marca: Wayo
Cod: FDB5800
Marca: ONSEMI
Cod: MMBT7002KW-AQ-DIO
Marca: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Cod: P16B6SB-5071
Marca: SHINDENGEN
Cod: BSS119NH6327XTSA1
Marca: INFINEON TECHNOLOGIES
Cod: ZXMN10A25GTA
Marca: DIODES INCORPORATED
Cod: STB75NF75LT4
Marca: STMicroelectronics
Cod: SI4134DY-T1-GE3
Marca: VISHAY
Cod: MMFTN20-DIO
Marca: DIOTEC SEMICONDUCTOR