• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

  • Stoc epuizat
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,1A; Idm: 20A; 1,6W
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,1A; Idm: 20A; 1,6W
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,1A; Idm: 20A; 1,6W

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FDC855N 30V 20A 1,6W unipolar

FDC855N
ONSEMI
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6,1A; Idm: 20A; 1,6W
4,79 lei
3,96 lei Fara TVA
Cantitate
Stoc epuizat

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FDC855N 30V 20A 1,6W unipolar este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET dispune de o carcasă compactă SuperSOT-6, potrivită pentru montare SMD, facilitând integrarea în circuite moderne.




  • Producător: ONSEMI

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

  • Putere disipată: 1,6W

  • Montare: SMD

  • Carcasă: SuperSOT-6

  • Curent de drenă în impuls: 20A

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: 6,1A

  • Tensiune drenă-sursă: 30V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 39,3mΩ

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 13nC

  • Tip tranzistor: N-MOSFET



Acest tranzistor este ideal pentru circuite de putere, control motoare, surse de alimentare și alte aplicații electronice ce necesită un dispozitiv robust și eficient. Cu o rezistență scăzută în timpul funcționării și o capacitate mare de curent, FDC855N asigură performanțe stabile și fiabile.

Detalii
ONSEMI
FDC855N

Fisa tehnica

Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
1,6W
Montare
SMD
Carcasă
SuperSOT-6
Curent de drenă în impuls
20A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
6,1A
Tensiune drenă-sursă
30V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
39,3mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
13nC
Tip tranzistor
N-MOSFET

Coduri specifice

cod EAN13
5941475012530
Cod MPN
FDC855N
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie:
Tranzistor N-MOSFET EETMOS2 Unipolar 100V 30A - Idm 90A, 44W, Componentă Electronică pentru Circuite Integrate | Electronic-mag.

Cod: P30B10EL-5071

Marca: SHINDENGEN

Tranzistor N-MOSFET EETMOS2 Unipolar 100V 30A - Idm 90A, 44W, Componentă Electronică pentru Circuite Integrate

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 44W
6,30 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET EETMOS2 Unipolar 100V 30A - Idm 90A, 44W, Componentă Electronică pentru Circuite Integrate
In stoc
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 9A 63W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță | Electronic-mag.ro | Com

Cod: WMO11N60C2-CYG

Marca: Wayo

Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 9A 63W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță

(0)
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 9A; 63W; TO252
4,09 lei
Mai multe Tranzistor N-MOSFET WMOS™ C2 Unipolar 600V 9A 63W TO252 - Componentă Electronică de Înaltă Performanță
In stoc