• Banner

  • ANPC te respecta

  • Solutionare online a litigiilor

Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,2A; 1,6W; SuperSOT-6
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,2A; 1,6W; SuperSOT-6
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,2A; 1,6W; SuperSOT-6

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FDC637BNZ 20V 6,2A 1,6W SuperSOT-6

FDC637BNZ
ONSEMI
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,2A; 1,6W; SuperSOT-6
3,35 lei
2,77 lei Fara TVA
Cantitate

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

 

Termeni si conditii

 

Informatii GDPR

Descriere
Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FDC637BNZ 20V 6,2A 1,6W SuperSOT-6 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită eficiență și fiabilitate. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET utilizează tehnologia PowerTrench® pentru a asigura o rezistență scăzută în timpul funcționării de doar 41mΩ și o disipare a puterii de 1,6W. Cu un curent maxim de drenă de 6,2A și o tensiune drenă-sursă de 20V, este potrivit pentru circuite cu cerințe moderate de putere.

Montarea se realizează prin tehnologia SMD, iar carcasele SuperSOT-6 oferă o soluție compactă și eficientă pentru integrarea în plăci de circuit imprimat. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit asigură o performanță stabilă și precisă. Încărcătura poartă de 12nC și tensiunea poartă-sursă ±20V completează caracteristicile tehnice ale acestui tranzistor.


  • Producător: ONSEMI

  • Cod producător: FDC637BNZ

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă

  • Putere disipată: 1,6W

  • Montare: SMD

  • Carcasă: SuperSOT-6

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: 6,2A

  • Tensiune drenă-sursă: 20V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 41mΩ

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 12nC

  • Tip tranzistor: N-MOSFET

  • Tehnologie: PowerTrench®

Detalii
ONSEMI
FDC637BNZ

Fisa tehnica

Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
1,6W
Montare
SMD
Carcasă
SuperSOT-6
Polarizare
unipolar
Curent drenă
6,2A
Tensiune drenă-sursă
20V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
41mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
12nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
PowerTrench®

Coduri specifice

cod EAN13
5945056352015
Cod MPN
FDC637BNZ
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse in aceeasi categorie: